收藏本站
NTF2955, NVF2955
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1200
1000
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
10
Q T
60
50
800
C rss
8
Q GS
Q GD
V GS
40
600
400
C iss
6
4
30
20
200
C oss
C rss
2
V DS
I D = ? 1.5 A
T J = 25 ° C
10
0
10
5
? V GS
0
? V DS
5
10
15
20
25
0
0
2
4 6 8 10 12
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
14
0
16
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = ? 25 V
I D = ? 1.5 A
V GS = ? 10 V
t d(off)
5
4
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t f
10
t d(on)
t r
2
1
1
1
10
100
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100
V GS = ? 20 V
SINGLE PULSE
250
I PK = ? 6.7 A
10
1
T C = 25 ° C
dc
10 ms
10 m s
100 m s
1 ms
200
150
100
0.1
0.01
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NVF5P03T3G MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223
NVMFD5877NLT1G MOSFET N-CH 60V 17A 8SOIC
NVMFS4841NT1G MOSFET N-CH 30V 89A SO-8FL
NVMFS5844NLT1G MOSFET N-CH 60V 11.2S SO-8FL
NVR1P02T1G MOSFET N-CH 20V 1A SOT-23-3
NVTFS4823NTAG MSOFET N-CH 30V 30A 8WDFN
NVTFS4824NTAG MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
NVTFS5116PLTWG MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
相关代理商/技术参数
NVF2955T1G 功能描述:MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NVF3055-100T1G 功能描述:MOSFET NFET 60V 3A 0.100R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NVF3055L108T1G 功能描述:MOSFET NFET 60V 3A 0.120R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NVF3055L108T3G 功能描述:MOSFET NFET 60V 3A 0.120R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NVF4-1 制造商:DBLECTRO 制造商全称:DB Lectro Inc 功能描述:NHG RELAYS
NVF4-2 制造商:DBLECTRO 制造商全称:DB Lectro Inc 功能描述:NHG RELAYS
NVF4-3 制造商:DBLECTRO 制造商全称:DB Lectro Inc 功能描述:NHG RELAYS
NVF4-4 制造商:DBLECTRO 制造商全称:DB Lectro Inc 功能描述:NHG RELAYS